金融界2025年6月27日消息,国家知识产权局信息显示,浙江创芯集成电路有限公司申请一项名为“栅氧化层的形成方法”的专利,公开号CN120221400A,申请日期为2024年12月。
专利摘要显示,本发明提供一种栅氧化层的形成方法,包括:提供衬底;采用第一干氧化工艺在衬底的表面生长第一层子栅氧化层;采用湿氧化工艺在衬底的表面生长第二层子栅氧化层,第一层子栅氧化层位于第二层子栅氧化层的表面,其中,在湿氧化工艺中同时通入DCE气体;采用第二干氧化工艺在衬底的表面生长第三层子栅氧化层,第二层子栅氧化层位于第三层子栅氧化层的表面,第一层子栅氧化层、第二层子栅氧化层以及第三层子栅氧化层构成栅氧化层;在湿氧化工艺过程中通入DCE气体,DCE气体能够更容易与第一层子栅氧化层和衬底之间或者第一层子栅氧化层中的悬空键结合,去除第一层子栅氧化层的缺陷,从而使得第一层子栅氧化层以及最终形成的栅氧化层内部缺陷少,不容易形成导电通道,从而提升器件的击穿电压,达到改善TDDB的效果。
天眼查资料显示,浙江创芯集成电路有限公司,成立于2020年,位于杭州市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本182000万人民币。通过天眼查大数据分析,浙江创芯集成电路有限公司共对外投资了1家企业,参与招投标项目249次,财产线索方面有商标信息14条,专利信息314条,此外企业还拥有行政许可6个。
来源:金融界