在全球新能源汽车、光伏储能、轨道交通等产业需求爆发的背景下，第三代半导体材料碳化硅（SiC）正成为半导体领域的新主角。当前，12英寸碳化硅领域的研发与量产能力，已成为衡量第三代半导体行业竞争力的重要标尺，吸引多家厂商布局。近期，西湖仪器、天岳先进传出新动态。

1、西湖仪器率先实现12英寸碳化硅衬底激光剥离

3月26日消息，西湖仪器近日成功实现12英寸碳化硅衬底激光剥离自动化解决方案，大幅降低损耗，提升加工速度，推进了碳化硅行业的降本增效。

此前，西湖仪器已推出“8英寸导电型碳化硅衬底激光剥离设备”，并于今年1月荣获“国内首台（套）装备”认定。

碳化硅领域，衬底材料成本占据整体成本的比例居高不下，阻碍了碳化硅器件大规模的产业化推广。西湖仪器指出，降本增效的重要途径之一是制造更大尺寸的碳化硅衬底材料。

与6英寸和8英寸衬底相比，12英寸衬底材料能够进一步扩大单片晶圆上可用于芯片制造的面积，在同等生产条件下，显著提升产量，降低单位成本。

source：西湖仪器

国内碳化硅头部企业去年已披露了最新一代12英寸碳化硅衬底，这也带来了12英寸以上的超大尺寸碳化硅衬底切片需求。

为此，西湖仪器推出了“超大尺寸碳化硅衬底激光剥离技术”，率先解决了12英寸及更大尺寸的碳化硅衬底“切片”难题，该技术能够实现对碳化硅晶锭的精准定位、均匀加工、连续剥离，具有自动化、低损耗与高效率等优势。

2、天岳先进携全球首发的全系列12英寸碳化硅衬底产品亮相上海

在3月25日于上海举办的亚洲化合物半导体大会上，天岳先进携全球首发的全系列12英寸碳化硅衬底产品登场，包括12英寸高纯半绝缘型碳化硅衬底、12英寸导电P型及12英寸导电N型碳化硅衬底。其中，12英寸高纯碳化硅衬底、12英寸P型碳化硅衬底为全球首展。

source：山东天岳先进科技股份有限公司

天岳先进在会上分享了超大尺寸衬底量产经验、液相法制备工艺等前沿成果，与全球产业链上下游共议碳化硅技术趋势。

12英寸产品，在产品面积上较8英寸持续扩大，单片晶圆芯片产出量跃升2.5倍，尺寸扩大有效降低单位成本，是行业发展的必然趋势。天岳先进认为，碳化硅行业已经正式迈入"12英寸时代"，2025年将是大尺寸技术突破元年。

应用领域方面，天岳先进表示碳化硅产品的技术裂变也将助力新能源汽车、光伏储能、智能电网、5G基站等多种高压应用场景，催生AR眼镜、卫星通信及低空经济等多重新兴领域蓬勃发展，助力万物互联时代的算力革命。

（文/集邦化合物半导体 奉颖娴 整理）