金融界2025年4月19日消息,国家知识产权局信息显示,苏州晶湛半导体有限公司申请一项名为“一种半导体薄膜及其制备方法”的专利,公开号CN119852175A,申请日期为2023年10月。
专利摘要显示,本公开提供了一种半导体薄膜及其制备方法,利用图案化的衬底形成具有镂空结构的半导体薄膜,以半导体薄膜为掩膜,通过湿法刻蚀进一步除去衬底,第一凹槽被刻蚀形成第二凹槽,第二凹槽在所述衬底所在平面的正投影面积大于所述镂空结构在所述衬底所在平面的正投影面积,在生长过程中,因为第一凹槽被加深刻蚀,部分半导体薄膜悬空于第二凹槽上,悬空结构可以弛豫张应力,抑制裂纹产生;另一方面,因为衬底被进一步除去,所以由于衬底和半导体薄膜的接触界面减小,在衬底和半导体薄膜之间的界面形成的位错数目也会进一步降低,且在半导体薄膜的生长过程中位错会进一步湮灭,最终得到无裂纹、低位错密度的高质量半导体薄膜。
天眼查资料显示,苏州晶湛半导体有限公司,成立于2012年,位于苏州市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本8212.5556万人民币。通过天眼查大数据分析,苏州晶湛半导体有限公司共对外投资了4家企业,参与招投标项目37次,财产线索方面有商标信息71条,专利信息284条,此外企业还拥有行政许可24个。
来源:金融界