金融界 2025 年 5 月 14 日消息,国家知识产权局信息显示,江西汉可泛半导体技术有限公司申请一项名为“一种沉积高质量氮化硅薄膜的方法及其系统”的专利,公开号 CN119980184A,申请日期为 2025 年 3 月。
专利摘要显示,本发明涉及一种沉积高质量氮化硅薄膜的方法,其使用热丝化学气相沉积技术,包括:将布置在工艺腔中的热丝采用小电流预热;将预热后的热丝采用大电流加热并向工艺腔中通入氨气,控制工艺腔的压力进行反应;保持热丝采用大电流加热和通入氨气,向工艺腔中通入硅烷,控制工艺腔的压力进行反应;继续保持热丝采用大电流加热并继续保持通入氨气,对工艺腔不控压;将采用大电流加热的热丝降温至采用小电流进行加热缓冲。此外,本发明还涉及一种 HoFCVD 系统。本发明有效解决了硅烷优先于氨气分解的问题,提高了氮化硅薄膜的质量。本发明也能完美解决 PECVD 设备镀膜衬底温度过高导致的非晶硅膜层损坏及 ALD 设备镀膜速率慢导致的产能不足问题。
天眼查资料显示,江西汉可泛半导体技术有限公司,成立于2021年,位于九江市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本620.4379万人民币。通过天眼查大数据分析,江西汉可泛半导体技术有限公司共对外投资了1家企业,参与招投标项目17次,财产线索方面有商标信息12条,专利信息46条,此外企业还拥有行政许可22个。
来源:金融界