为了降本增效，台积电自研 EUV 薄膜
台积电近日对外确认多项产能调整计划，包括两年内退出氮化镓（GaN）代工业务、整合8英寸旧厂并布局自研极紫外光（EUV）光罩薄膜量产，此举旨在优化产能结构、降低运营成本，同时减少对外部供应链依赖，进一步提升先进制程竞争力。
根据规划，台积电将关闭位于新竹科学园区的6英寸二厂，并对新竹的8英寸三厂（Fab 3、Fab 5、Fab 8）进行整合。为缓解用工紧缺、提升产能利用效率，约30%的相关员工将调往南部科学园区及高雄厂区。这一系列动作是台积电自2025年初启动旧厂精简计划以来的关键举措，将有效整合分散产能，降低多厂区运营成本。
在旧厂转型利用方面，台积电明确6英寸工厂将改造为CoPoS面板级封装生产基地，而8英寸厂将承担更具战略意义的任务——量产自研EUV光罩薄膜（Pellicle）。据了解，EUV光罩薄膜是覆盖在光刻光罩上的关键保护膜，可有效防止颗粒污染影响光刻精度，对7纳米及以下先进制程良率至关重要。
此前，传统EUV光罩薄膜多采用有机材料，存在透光性与稳定性不足的问题，多数晶圆厂只能在无薄膜状态下生产，需频繁检测、更换光罩，不仅增加生产成本，还会延长生产周期。台积电自主研发的EUV光罩薄膜，有望解决这一行业痛点，通过优化生产流程提升先进制程良率，同时减少对ASML及其供应链的依赖，增强供应链自主可控能力。
从行业背景来看，过去10年台积电在先进制程领域投入了创纪录的资本，但随着摩尔定律逼近物理极限，单纯依靠资本投入的收益逐步减弱。EUV光刻技术虽为更小制程节点提供可能，但其设备成本高昂——单台EUV扫描机约1.5亿美元，High-NA版本更是超过3.5亿美元，且核心设备长期由ASML垄断。在此背景下，台积电放缓High-NA设备采购节奏，转而加快EUV薄膜等关键配套技术的研发与量产，成为其平衡成本与技术突破的重要策略。