国家知识产权局信息显示,上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为“闪存及其形成方法”的专利,公开号CN121284965A,申请日期为2025年9月。
专利摘要显示,本发明提供一种闪存及其形成方法,浮栅位于耦合氧化层上;擦除栅位于相邻浮栅之间的衬底上,擦除栅上形成有擦除栅保护层,以使擦除栅构成埋层结构,擦除栅的高度大于浮栅的高度;字线位于浮栅一侧的衬底上,字线的高度大于擦除栅的高度,字线的材料为金属材料。本发明采用单层浮栅结构,无控制栅,且浮栅的高度小于擦除栅的高度,降低整体器件的高度,不需要采用衬底回刻工艺降低器件区的高度,解决了存储单元高度偏高导致增加了工艺成本和控制难度的问题;本发明中的擦除栅采用埋层结构,且阵列区中的擦除栅不需要形成金属硅化物,以及字线采用金属栅极,不需形成金属硅化物,提高了器件高度的窗口。
天眼查资料显示,上海华虹宏力半导体制造有限公司,成立于2013年,位于上海市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2046092.7759万人民币。通过天眼查大数据分析,上海华虹宏力半导体制造有限公司共对外投资了8家企业,参与招投标项目930次,财产线索方面有商标信息39条,专利信息5000条,此外企业还拥有行政许可429个。
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来源:市场资讯
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