华虹宏力申请半导体器件及形成方法专利，提升射频前端性能
创始人
2026-01-12 01:21:18
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国家知识产权局信息显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为“半导体器件及形成方法”的专利，公开号CN121310651A，申请日期为2025年9月。
专利摘要显示，本发明提供了一种半导体器件及形成方法，包括：提供SOI，SOI包括依次堆叠设置的底层硅、埋氧层和顶层硅；在顶层硅的表面形成MOS管的栅极，在顶层硅内形成MOS管的源极和漏极，源极和漏极分别位于栅极的两侧，MOS管为多个，且从射频输入端开始到接收端以堆栈的形式设置；在每个MOS管沿着输入端到接收端方向的一侧均形成接地金属层，接地金属层接地，接地金属层与MOS管通过层间介质层隔开；在MOS管和接地金属层之间的层间介质层内形成空气间隙，其中，前两级MOS管对应的空气间隙的数量大于其余MOS管对应的空气间隙的数量。
天眼查资料显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2046092.7759万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华虹宏力半导体制造有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目930次，财产线索方面有商标信息39条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可429个。
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来源：市场资讯
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