国家知识产权局信息显示,江苏扬贺扬微电子科技有限公司申请一项名为“一种垂直纳米线存储器装置”的专利,公开号CN121463484A,申请日期为2025年11月。
专利摘要显示,本发明公开了一种垂直纳米线存储器装置,涉及半导体技术领域。装置的核心特征在于其具有由GaN、AlN和AlGaN材料构成的垂直纳米线沟道结构,该结构具体表现为由AlN和GaN异质结形成第一沟道,由AlN和AlGaN异质结形成第二沟道。这两个沟道在纳米线径向上由内至外依次分布,分别利用第一沟道的高极化电荷密度和第二沟道的宽禁带高耐压特性,提升器件性能。源极和漏极在垂直方向上相对设置,由金属层与氧化物层堆叠形成。栅极结构采用全环绕栅极,从内至外依次包括与纳米线沟道接触的铁电AlScN层以及栅极导电层,其中栅极导电层由栅极和氮化物交替沉积形成。提供了增强的极化控制与低泄漏电流。
天眼查资料显示,江苏扬贺扬微电子科技有限公司,成立于2016年,位于无锡市,是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本5708.1667万人民币。通过天眼查大数据分析,江苏扬贺扬微电子科技有限公司共对外投资了4家企业,财产线索方面有商标信息13条,专利信息43条,此外企业还拥有行政许可18个。
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来源:市场资讯