金融界2025年5月1日消息,国家知识产权局信息显示,杭州富芯半导体有限公司申请一项名为“沟槽及其制作方法”的专利,公开号CN119890133A,申请日期为2024年12月。
专利摘要显示,本发明提供一种沟槽及其制作方法,所述方法包括:提供衬底,在衬底上形成掩膜层;对掩膜层进行刻蚀形成图形化的掩膜层,图形化的掩膜层暴露部分衬底;去除暴露出的衬底上的自然形成的氧化层,同时至少在图形化的掩膜层的侧壁底部形成保护层;以图形化的掩膜层与保护层为掩膜对衬底进行刻蚀,在衬底内形成沟槽。本发明在对衬底刻蚀之前至少在图形化的掩膜层的侧壁底部形成保护层,所述保护层用于保护其下方的衬底,使得在以图形化的掩膜层为掩膜对所述衬底进行刻蚀形成沟槽时其沟槽顶部具有圆滑形貌。并且本发明是在去除暴露出的所述衬底上的自然形成的氧化层的同时形成所述保护层,无需增加专用设备,也无需增加工艺步骤,节省了制作成本。
天眼查资料显示,杭州富芯半导体有限公司,成立于2019年,位于杭州市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本945000万人民币。通过天眼查大数据分析,杭州富芯半导体有限公司参与招投标项目24次,财产线索方面有商标信息15条,专利信息283条,此外企业还拥有行政许可16个。
来源:金融界