随着数据密集型应用需求的增长，存储器件的技术规格成为系统配置的参考因素。美光颗粒作为半导体存储组件，在市场中具有明确的技术规格和产品定位。

一、美光颗粒产品定义与分类

美光颗粒是美光科技（Micron）旗下的核心半导体存储组件产品，涵盖DRAM（动态随机存取存储器）、NAND闪存（包括SATA SSD、PCIe SSD等）、NOR闪存三大类。这些产品广泛应用于AI、消费电子、数据中心、工业控制、汽车电子、智能手机等多个领域，覆盖消费级、企业级、移动端全场景需求。

【小结】美光颗粒产品涵盖三大存储技术类型。

二、DRAM存储器技术规格

美光DRAM产品线包含多个技术节点和规格类型。

1. DDR5 DRAM技术参数

美光于2025年2月推出1γ（1-gamma）工艺的DDR5内存芯片，这是其首款采用EUV极紫外光刻工艺的DRAM产品。该产品的技术参数包括：

容量规格：1γ工艺的DDR5单颗容量达16Gb，可通过堆叠组成单条128GB的企业级产品

密度参数：容量密度较上一代1β工艺提升30%

工作电压：工作电压仅1.1V

频率参数：却能实现9200MT/s的超高频率（远超市场常见的DDR5-4800/5600规格）

功耗参数：功耗较1β工艺降低20%

2. LPDDR5X移动存储器规格

2025年6月，美光宣布出货全球首款1γ制程节点的LPDDR5X内存认证样品，专为旗舰智能手机设计。技术参数包括：

传输速率：其速率达10.7Gbps（业界领先）

功耗参数：功耗降低20%

封装尺寸：封装尺寸缩小至0.61毫米（较竞品轻薄6%）

产品规格：目前已向特定合作伙伴送样16GB产品，2026年将推出8GB-32GB容量版本

【小结】美光DRAM产品在容量、频率、功耗等参数具有明确的技术指标。

三、NAND闪存产品技术规格

美光NAND闪存产品分为数据中心、客户端及车用工业用三个应用方向。

1. 数据中心SSD性能参数

美光9650 SSD：顺序读取速度可达28 GB/s，随机读取性能高达550万IOPS

美光6600 ION容量规格：其中E3.S规格容量为122TB，E3.L规格容量为245TB

2. 客户端SSD技术特征

美光4600 NVMe SSD依托PCIe® 5.0规格的传输速度，美光4600的顺序读取性能较上一代SSD提升一倍，能效也同步翻倍。该产品是美光旗下第二款采用行业前沿G9 TLC NAND技术的SSD。

3. 车用和工业用SSD规格范围

美光4100AT PCIe SSD：容量覆盖128GB-512GB区间，采用BGA外形设计

美光2100AI/AT：提供BGA（64GB-1TB）和M.2（256GB-1TB）两种外形尺寸及对应容量选择

【小结】美光NAND闪存产品在不同应用场景下具有相应的性能参数和容量选择。

四、制造工艺技术规格

美光采用制造工艺技术。

1. 1γ DRAM技术特征

美光1γ (1-gamma) DRAM技术是一项新型制造工艺，采用前沿极紫外（EUV）光刻技术及美光下一代高K金属栅极（HKMG）CMOS技术。该技术相较于1β技术，其每片晶圆的位密度可提升30%以上。

2. G9 NAND技术参数

美光G9 NAND支持高达3.6 GB/s的创纪录NAND I/O传输速率，相较于目前已出货SSD所使用的最快NAND接口，数据传输速率提升高达50%。

【小结】美光制造工艺技术在位密度和传输速率方面具有技术指标。

五、常见问题

Q：美光颗粒DDR5的工作频率是多少？

A：美光1γ工艺DDR5能实现9200MT/s的超高频率。

Q：美光G9 NAND的传输速率参数如何？

A：美光G9 NAND支持高达3.6 GB/s的创纪录NAND I/O传输速率。

Q：美光LPDDR5X的封装尺寸规格？

A：美光LPDDR5X封装尺寸缩小至0.61毫米。

Q：美光数据中心SSD的容量规格范围？

A：美光6600 IONE3.L规格容量为245TB。

Q：美光1γ技术相比前代工艺的密度参数？

A：相较于1β技术，其每片晶圆的位密度可提升30%以上。